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    本發明是一種矽晶圓的研磨方法，該研磨方法一邊將貯存於槽內的研磨劑供給至已黏貼於平台上的研磨布上，一邊使矽晶圓與前述研磨布作滑動接觸而進行研磨，並將前述所供給的研磨劑回收至前述槽內來使其循環；其中，所述的研磨方法的特徵在於：具有一步驟，該步驟一邊將前述槽內的研磨劑中所含的矽酸離子的濃度調整為特定範圍內的濃度，一邊研磨前述矽晶圓。藉此，提供一種研磨劑及矽晶圓的研磨方法，該研磨劑可於各批次間保持固定的高研磨速度；該矽晶圓的研磨方法是使用該研磨劑，而可高精度地控制成為目標研磨餘量或加工完成厚度。
    公开号:TW201322320A
    申请号:TW101129993
    申请日:2012-08-17
    公开日:2013-06-01
    发明作者:Shigeru Oba；Takao Kawamata
    申请人:Shinetsu Handotai Kk；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    矽晶圓的研磨方法及研磨劑
    本發明是有關於一種研磨方法及其研磨劑，該研磨方法是一邊供給研磨劑，一邊使矽晶圓與研磨布作滑動接觸而進行研磨。
    通常，矽晶圓的製造方法，具有以下步驟：切片步驟，對矽晶棒進行切片以得到薄圓板狀晶圓；倒角步驟，其將該晶圓的外周部倒角，以防止藉由該切片步驟所得到的晶圓發生破裂或缺損；研光(lapping)步驟，將倒角後的晶圓平坦化；蝕刻步驟，除去殘留於經倒角和研光後的晶圓上的加工變形；研磨(拋光)步驟，將蝕刻後的晶圓的表面鏡面化；以及，清洗步驟，清洗被研磨後的晶圓，以除去該晶圓上所附著的研磨劑或異物。
    以上僅示出主要步驟，除此以外，可施加熱處理步驟或平面磨削步驟等，或是調換步驟的順序。又，亦可實施複數次(二次以上)同一步驟。之後，進行檢查等，再送至元件製造步驟，於矽晶圓的表面上形成絕緣膜和金屬配線等，而製造出記憶體等元件。
    上述研磨步驟，是一邊供給研磨劑一邊使矽晶圓與研磨布作滑動接觸，藉此將表面鏡面化的步驟；期望將矽晶圓鏡面研磨為高平坦度並提高研磨速度(研磨速率)。作為該研磨步驟中所使用的研磨劑，主要大多使用含有氧化鋁或矽膠(SiO2)之研磨劑。尤其是使用懸濁液(漿體)狀研磨劑，該懸濁液(漿體)狀研磨劑是以水稀釋氧化鋁或矽膠，且進而添加有鹼。
    此處，作為提高研磨速度的方法，可在研磨所使用的研磨劑方面下功夫。例如，上述二氧化矽系的研磨劑是使用粒徑為10~150 nm左右的研磨劑。研磨劑所包含的二氧化矽的粒度越大，研磨能力越高。但是，粒徑越大，越容易在晶圓表面上產生研磨損害等。
    又，作為用以提高研磨速度之其他方法，有向研磨劑中添加pH調整劑，保持固定的pH之方法(請參照例如專利文獻1)。此處，作為添加劑，使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉、及碳酸氫鉀等。 [先行技術文獻] (專利文獻)
    專利文獻1：日本特開2000-263441號公報
    已知通常在將該pH調整劑添加至研磨劑中的時候，若將pH保持為10.5以上，則研磨速度提高，另一方面若保持此種高pH狀態，則於製作元件時，容易向矽晶圓中導入有害的鎳、銅等金屬雜質。因此，先前所使用的研磨劑，是使研磨劑的pH保持為10.5左右。
    此處，於矽晶圓的研磨中所使用之二氧化矽系的研磨劑，包含水、二氧化矽、及鹼，於研磨中將發生下式所示的反應。
    Si+2OH-+H2O → SiO3 2-+2H2↑
    基於該式，先前是如下所述地考慮研磨速度k。一般來說，Si為固體，且H2O有剩餘。研磨劑包含二氧化矽，若考慮到SiO3 2-的聚合物，則亦有剩餘，可如下所述地表示研磨速度k。
    如此一來，僅考慮氫氧化物離子的濃度高於作為副產物的矽酸離子SiO3 2-的濃度之情況，將重點放在[OH-]的控制上。亦即，先測定研磨劑的pH，當所測定的pH低於特定值(例如10.5)的時候，添加NaOH、KOH、Na2CO3、及K2CO3等pH調整劑來進行調整。
    但是，若使用此種先前的利用將pH保持為特定值的方法而調整的研磨劑，來研磨矽晶圓，將產生以下問題：雖然可提高研磨速度，但於研磨批次之間將產生研磨速度的偏差，即便每批次以相同研磨時間研磨，對於目標厚度亦產生1至數微米程度的誤差。
    需要調整研磨劑的狀態，使每批次的研磨速度大致固定，並準確地設定研磨時間，以控制更高精度的研磨餘量(grinding allowance)或加工完成厚度，如上所述，若研磨速度並非固定，則無法設定準確的研磨時間。
    近年來，對研磨後的矽晶圓要求更高的平坦度，餘量(allowance)的容許範圍隨之成為0.1 μm程度以下，先前的方法無法滿足該要件。又，於先前的方法中，亦存在以下問題：隨著研磨批次處理的進展，研磨速度顯著降低，可使用的批次處理數量較少。
    本發明是鑒於前述問題而完成，其目的在於提供一種研磨劑及矽晶圓的研磨方法，該研磨劑可於各批次間保持固定的高研磨速度；該矽晶圓的研磨方法是使用該研磨劑，而可高精度地控制成為目標研磨餘量或加工完成厚度。
    為了達成上述目的，根據本發明，提供一種矽晶圓的研磨方法，該研磨方法一邊將貯存於槽內之研磨劑供給至已黏貼於平台上的研磨布上，一邊使矽晶圓與前述研磨布作滑動接觸而進行研磨，並將前述所供給的研磨劑回收至前述槽內來使其循環；其中，所述的研磨方法的特徵在於：具有一步驟，該步驟一邊將前述槽內的研磨劑中所含的矽酸離子的濃度調整為特定範圍內的濃度，一邊研磨前述矽晶圓。
    若為此種研磨方法，則可保持較高的研磨速度，且可於各批次間保持固定的研磨速度。其結果，由於可準確地設定研磨時間，因此，可高精度地控制成為目標研磨餘量或加工完成厚度。
    此時，較佳是具有一添加步驟，該添加步驟，向前述槽內添加與前述所供給的研磨劑中無法回收至前述槽的一部分前述研磨劑相同量的新研磨劑；並於前述矽晶圓的研磨中，向前述槽內的研磨劑中添加鹼，利用該鹼與前述矽晶圓的反應而生成前述矽酸離子，藉此而將因為前述研磨劑的一部分未回收至前述槽內而減少的前述矽酸離子的濃度，調整為前述特定範圍內的濃度。
    如此一來，可易於將因為研磨劑的一部分未回收至槽內而減少的矽酸離子的濃度調整為特定範圍內的濃度。又，由於是利用鹼與矽晶圓的反應而生成矽酸離子，因此可抑制成本增加。又，藉由調整未回收至槽內的一部分研磨劑的量、及添加至槽內的研磨劑中的鹼的量，可調整研磨速度。
    並且此時，較佳是將前述特定範圍內的矽酸離子的濃度調整在1.0~4.6 g/L的範圍內。
    如此一來，可確實地於各批次間保持固定的高研磨速度。
    並且此時，較佳是將在前述矽晶圓的研磨中添加至前述槽內的研磨劑中的鹼的量，調整為單位特定時間為固定量。
    如此一來，藉由添加鹼，可使矽酸離子的濃度不會暫時降低而導致研磨速度不穩定，而能更簡單且確實地將矽酸離子的濃度調整為特定範圍內的濃度。
    並且此時，可將添加至前述矽晶圓的研磨中的鹼，設為碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、氫氧化鈉、及氫氧化鉀中的至少一種。
    如此一來，於本發明的矽晶圓的研磨方法中，可應用各種鹼。
    又，根據本發明，提供一種研磨劑，是在使矽晶圓與已黏貼於平台上的研磨布作滑動接觸而進行研磨的時候，供給至前述研磨布上的研磨劑，其特徵在於：包含水、二氧化矽、鹼及矽酸離子，且前述矽酸離子的濃度是調整在1.0~4.6 g/L的範圍內。
    藉由使用此種研磨劑來進行研磨，可保持較高的研磨速度，且可於各批次間保持固定的研磨速度。其結果，由於可準確地設定研磨時間，因此，該研磨劑成為一種研磨劑，可高精度地控制成為目標研磨餘量或加工完成厚度。
    於本發明的矽晶圓的研磨方法中，由於是一邊將槽內的研磨劑中所含的矽酸離子的濃度，調整為特定範圍內的濃度，一邊研磨矽晶圓，因此，可保持較高的研磨速度，且可於各批次間保持固定的研磨速度。其結果，由於可準確地設定研磨時間，因此，可高精度地控制成為目標研磨餘量或加工完成厚度。又，由於研磨速度長期持續而不容易變動，因此，可設定較長的研磨劑壽命。
    1‧‧‧雙面研磨裝置
    2‧‧‧上平台
    3‧‧‧下平台
    4‧‧‧研磨布
    5‧‧‧載具
    6‧‧‧保持孔
    7‧‧‧上旋轉軸
    8‧‧‧下旋轉軸
    9‧‧‧太陽齒輪
    10‧‧‧內齒輪
    11‧‧‧噴嘴
    12‧‧‧槽
    13‧‧‧研磨劑
    14‧‧‧平台承接器
    W‧‧‧矽晶圓
    第1圖是表示可用於實施本發明的矽晶圓的研磨方法之雙面研磨裝置的一例的概略圖，其中，(A)是側面剖面圖，(B)是從上方俯視而得的內部構造圖。
    第2圖是表示實施例的結果的圖。
    第3圖是表示比較例的結果的圖。
    以下，說明本發明的實施形態，但本發明並不限定於此實施形態。
    於矽晶圓的研磨中，先前是管理研磨劑的pH值，一邊調整為保持在例如10.5左右，一邊進行研磨，以提高研磨速度。但是，當如此地研磨矽晶圓時，如上所述，雖然研磨速度得以提高，但於各批次間的研磨速度並非固定，因而產生偏差。又，亦可知尤其在剛重新稀釋調製研磨劑後的一段時間內，研磨速度難以提高。
    因此，本發明人為了解決此種問題而反復努力研究。結果想到，先前未作考慮的矽酸離子的濃度是使研磨速度變化的主要原因。發現尤其在剛重新稀釋調製研磨劑後的一段時間內，難以提高研磨速度的原因在於：即便處於pH足夠高的狀態下，矽酸離子濃度亦並未充分提高。並且，想到藉由將該矽酸離子的濃度調整為特定範圍內的濃度，可使高研磨速度穩定並保持固定，因而完成本發明。
    本發明的研磨劑，是於使矽晶圓與已黏貼於平台上的研磨布作滑動接觸而進行研磨的時候，供給至研磨布上的研磨劑。
    又，本發明的矽晶圓的研磨方法，是一邊將貯存於槽內的本發明的研磨劑供給至已黏貼於平台上的研磨布上，一邊使矽晶圓與研磨布作滑動接觸而進行研磨，並將所供給的研磨劑回收至槽內來使其循環。
    此處，本發明可適應於同時研磨矽晶圓的雙面之雙面研磨、及研磨單面之單面研磨中的任一種。
    以下，說明本發明的研磨劑。
    本發明的研磨劑，包含水、二氧化矽、鹼及矽酸離子。例如為懸濁液狀研磨劑，其利用水來稀釋研磨粒為10~150 nm左右之矽膠，並添加鹼，且包含矽酸離子。此處，所添加的鹼，例如是碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、氫氧化鈉、及氫氧化鉀中的至少一種。又，亦可包含用以防止金屬雜質污染之螯合劑。
    進而，本發明的研磨劑的矽酸離子的濃度是調整在1.0~4.6 g/L的範圍內。此處，作為矽酸離子，包含自系統外部導入之矽酸離子、及於矽晶圓的研磨中利用矽晶圓與鹼的反應而生成的矽酸離子。亦即，於矽晶圓的研磨中，矽酸離子的濃度調整在上述範圍內的狀態。
    若將此種研磨劑用於矽晶圓的研磨中，則可保持較高的研磨速度，且可於各批次間保持固定的研磨速度。其結果，由於可準確地設定研磨時間，因此，可高精度地控制成為目標研磨餘量或加工完成厚度。
    其次，說明本發明的矽晶圓的研磨方法。此處，是以使用如第1圖所示的同時研磨複數個矽晶圓的雙面之類型的雙面研磨裝置而實施的情況為例，加以說明，但是本發明並非限定於此例子，例如，亦可使用同時研磨1片矽晶圓的雙面之單晶圓(single wafer)式雙面研磨裝置、或研磨矽晶圓的單面之單面研磨裝置而實施。
    如第1圖(A)、(B)所示，雙面研磨裝置1具備上下相對向設置的上平台2和下平台3，於上平台2、下平台3上，分別黏貼有研磨布4。並且於上平台2、下平台3之間的中心部上設置有太陽齒輪(sun gear)9，於周緣部上設置有內齒輪10。於載具5上設置有用以保持矽晶圓W之保持孔6，且複數個載具5被夾持於上平台2、下平台3之間。
    又，載具5的外周齒，嚙合於太陽齒輪9和內齒輪10的各齒部，上平台2、下平台3分別利用上旋轉軸7和下旋轉軸8，以特定旋轉速度旋轉，各載具5隨之一邊自轉一邊圍繞太陽齒輪9而作公轉。保持於載具5的保持孔6中的矽晶圓W，是與上下的研磨布4作滑動接觸而被同時地研磨雙面。此時，將槽12內的研磨劑13由噴嘴11供給至研磨布4上。
    此處所供給的研磨劑13的組成，是作成上述本發明的研磨劑。所供給的研磨劑13，除由例如於研磨中一部分飛散、或當作霧氣而被排出等而無法回收的一部分以外，在流入並聚集於平台承接器14中之後，回收至槽12內，並用於後續研磨中。如此一來，研磨劑13是於槽12與雙面研磨裝置1之間作循環。
    於本發明的矽晶圓的研磨方法中，一邊將該槽12內的研磨劑13中所含的矽酸離子的濃度調整為特定範圍內的濃度，一邊研磨矽晶圓W。如此一來，本發明是藉由調整先前未作考慮的研磨劑中的矽酸離子的濃度，而謀求研磨速度的穩定化。
    此處，矽酸離子的濃度的調整方法並無特別限定，例如可如下所述地進行。當減少濃度時，將所供給的一部分研磨劑排液，並添加新研磨劑，該新研磨劑不包含矽酸離子、或所包含的矽酸離子的濃度低於要調整的濃度。當增加濃度時，除了直接添加矽酸離子的方法以外，亦可應用後述方法，亦即添加鹼，以藉由在研磨中與矽晶圓反應而生成矽酸離子。
    若為此種研磨方法，可保持較高的研磨速度，且可於各批次間保持固定的研磨速度。其結果，由於可準確地設定研磨時間，因此，可高精度地控制成為目標研磨餘量或加工完成厚度。又，由於研磨速度是長期持續而不容易變動，因此，可設定較長的研磨劑壽命。又，藉由根據矽晶圓的電阻率而設置係數，可於研磨不同電阻率的矽晶圓時，預先預測研磨速度。
    研磨後的矽晶圓的表面，成為露出金屬矽的狀態，若仍附著有研磨劑的表面暴露於空氣中，則可能由於金屬矽與鹼不均勻地反應而導致表面粗糙。因此，通常以純水或表面活性劑對矽晶圓的表面進行沖洗，以於結束研磨後立即自矽晶圓的表面移除鹼。又，在研磨結束後，且於進行下一研磨(下一批次)之前，一般是藉由一邊以清洗水沖洗一邊以刷子等擦拭研磨布，而移除研磨布上所附著的異物、副產物及研磨劑的凝集物等。
    如此地加以使用後的清洗水或表面活性劑，是與一部分未回收的研磨劑混雜，殘留在自平台承接器至配管之區間，但該混合液中的研磨劑不可回收，而予以排液，以防止清洗水和表面活性劑等混雜於槽內的研磨劑中。研磨材料的回收及排液的切換，是藉由於配管與槽之間設置分離器(separator)來進行。
    並將與其相同量的新研磨劑添加至槽內，以彌補所供給的研磨劑中無法回收至槽內的一部分研磨劑所引起的減少分量，例如，如此地被排液的研磨劑、及如上所述的研磨中飛散出去的研磨劑等。
    此處，新研磨劑，是以使槽內的研磨劑13的二氧化矽、水等的比率不變化的方式來進行添加。
    並且，於矽晶圓的研磨中，向槽內的研磨劑中添加鹼，利用該鹼與矽晶圓的反應而生成矽酸離子，藉此，將因為一部分研磨劑未回收至槽內而減少的矽酸離子的濃度，調整為特定範圍內的濃度。
    此時，利用根據自研磨開始的經過時間來切換分離器，可調整要被排液的研磨劑的量。又，各批次中，由於飛散等而無法回收的研磨劑的量亦大致固定。亦即，由於各批次中無法回收至槽內的研磨劑的量為固定，因此藉由調整添加至槽內的研磨劑中的鹼的量，可容易地調整矽酸離子的濃度。又，由於在鹼與矽晶圓的反應中生成矽酸離子，因此可抑制成本增加。
    又，亦可藉由調整未回收至槽內的一部分研磨劑的量、與添加至槽內的研磨劑中的鹼的量之平衡，而於特定範圍內微調矽酸離子的濃度，進而調整研磨速度。
    此處，可進行模擬等，以決定用於將矽酸離子的濃度調整為特定範圍內所添加的鹼量及要被排液的研磨劑量。
    以下，示出模擬的一例。
    作為模擬的條件，如表1所示，當同時研磨5片直徑為300 mm的矽晶圓時，若使餘量為16 μm，則研磨重量為13.18 g(研磨的部分的體積×Si密度×片數)，由反應所生成的SiO3 2-的量為28.23 g(分子量×研磨重量)。又，取代率是表示被回收至槽內的研磨劑的比例。殘留率是表示矽晶圓與鹼反應所生成的矽酸離子殘存於研磨劑中的比例，且未殘留的分量是無法回收的研磨劑中所包含的被排出至系統外部之分量。亦即，殘留率是基於將研磨劑排液的量與研磨中所添加的鹼量而決定。將該殘留率作為參數，可模擬任意批次後的矽酸離子的濃度。
    具體而言，藉由將由生成SiO3 2-量×殘留率所得的增加部分加上初期濃度，可算出研磨後的濃度。
    將利用表1的條件下進行模擬後的結果，表示於表2。如表2所示，可知藉由重複研磨批次，而使矽酸離子的濃度增加，且20批次以後保持大致一定的濃度。以該濃度的結果處於特定範圍內的方式來進行模擬，藉此，可決定各批次中要排液的研磨劑的量及添加的鹼的量。
    又，較佳是，特定範圍內的矽酸離子的濃度，是被調整在1.0~4.6 g/L的範圍內。
    如此一來，可提高研磨速度，且於各批次間確實地保持固定。
    並且此時，較佳是將在矽晶圓的研磨中添加至槽內的研磨劑中的鹼的量，調整為單位特定時間為固定量。此處，所添加的鹼的單位特定時間固定量，是由所使用的研磨裝置或槽的容量等而適當決定。
    如此一來，藉由添加鹼，可使矽酸離子的濃度不會暫時降低而導致研磨速度不穩定，更確實地將矽酸離子的濃度調整為特定範圍內的濃度。
    或者，尤其當研磨週期足夠短、所需的鹼量較少時，亦可將研磨時或研磨前後所需的量的鹼，一併添加至槽內。
    此處，在矽晶圓的研磨中所添加的鹼，可為碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、氫氧化鈉、及氫氧化鉀中的至少一種，並可應用各種鹼。
    再者，當重新製作研磨劑時，需添加矽酸離子，或一邊添加鹼一邊研磨仿真矽晶圓等，以進行增加矽酸離子的調整(例如，上述模擬中的0至15批次之間)，來將矽酸離子的濃度調整在特定範圍內，但於該調整後，可使用本發明的矽晶圓的研磨方法，一邊將矽酸離子的濃度調整在特定範圍內一邊反復研磨矽晶圓，藉此，長期持續穩定地保持固定的研磨速度。
    作為研磨劑中的矽酸離子的濃度的簡便的評價方法，可列舉例如：研磨劑的比重、導電率、及濁度等。當這些性質為固定時，可認為矽酸離子的濃度亦固定。
    再者，當槽的容量與矽晶圓的裝入片數(同時研磨的矽晶圓的片數)為固定時，由於要溶解於循環的研磨劑中之矽酸離子的濃度，是取決於研磨餘量，因此若所需的餘量增加，則矽酸離子的濃度升高。較佳是，於如雙面研磨般的餘量較多的研磨中，如圖所示地將4.6 g/L作為上限。
    又，於精加工研磨這樣的研磨餘量極少的研磨中，不可過於期待溶解的矽酸離子濃度增加。此時，是取決於漿體原液中所含的矽酸離子濃度，較佳是包含1.0 g/L以上，以期待較高的研磨速率。 [實施例]
    以下，示出本發明的實施例及比較例，更具體地說明本發明，但本發明並不限定於這些例子。 (實施例)
    使用如第1圖所示的可同時研磨5片矽晶圓之雙面研磨裝置，按照本發明的矽晶圓的研磨方法，一邊將研磨劑中的矽酸離子的濃度調整為4.6 g/L，一邊批次式地重複研磨直徑為300 mm的矽晶圓。此處，使每1批次的研磨片數為5片。又，以研磨壓力200 g/cm2，研磨已完成蝕刻後的矽晶圓，並設定研磨時間，使自研磨前的厚度793±2 μm程度變成777 μm，亦即，研磨餘量為16 μm程度。測定研磨後的矽晶圓的厚度並調查研磨餘量(grinding allowance)，根據該研磨餘量與研磨時間，算出研磨速度並予以評價。
    首先，如下所述地製作本發明的研磨劑。
    向70 L容量的槽內，添加約0.6重量%的初級粒徑為35 nm之矽膠，並添加約0.075重量%的KOH作為鹼並攪拌，將其作為基體研磨劑。之後，一邊供給該基體研磨劑，一邊研磨仿真矽晶圓，並於研磨中添加5%的KOH，藉此，將研磨劑中的矽酸離子的濃度調整為4.6 g/L。
    使用如此製作出來的本發明的研磨劑，重複研磨矽晶圓，並評價各批次的研磨速度。此處，在研磨後所供給的研磨劑中，排液9 L的研磨劑，並補充相應分量的新研磨劑，於研磨中，向槽內的研磨劑中每兩分鐘3 ml地添加5%的KOH，藉此，將研磨劑中的矽酸離子的濃度調整為4.6 g/L。
    並且，藉由鉬黃法，測定研磨後的矽酸離子的濃度。
    將其結果示於第2圖。將研磨仿真晶圓(dummy wafer)以製作研磨劑時的研磨速度設為1，圖中的研磨速度是表示此時的相對值。如第2圖所示，可知相較於第3圖所示的比較例的結果，藉由將矽酸離子的濃度調整為4.6 g/L並進行研磨，可保持同等的高研磨速度，且研磨速度於各批次間成為固定。又，可知亦可穩定達成目標研磨餘量。
    如此一來，可確認本發明的矽晶圓的研磨方法及研磨劑，可於各批次間保持固定的高研磨速度。藉此，可高精度地控制成為目標研磨餘量或加工完成厚度。
    (比較例)使用先前的研磨方法，該先前的研磨方法不考慮矽酸離子的濃度，而一邊將研磨劑的pH保持為固定一邊進行研磨，除此以外，以與實施例同樣的條件來研磨矽晶圓，並與實施例同樣地評價。
    將其結果示於第3圖。圖中的研磨速度是表示為相對於實施例的研磨速度之相對值。如第3圖所示，可知無論研磨劑的pH是否一定，研磨速度的偏差均大於實施例。因該研磨速度的偏差，研磨餘量亦產生偏差。
    再者，本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態僅為例示，具有與本發明的申請專利範圍所記載之技術思想實質相同的構成，並發揮相同作用效果之所有發明，均包含在本發明的技術範圍內。
    权利要求:
    Claims (9)
    [1] 一種矽晶圓的研磨方法，該研磨方法一邊將貯存於槽內的研磨劑供給至已黏貼於平台上的研磨布上，一邊使矽晶圓與前述研磨布作滑動接觸而進行研磨，並將前述所供給的研磨劑回收至前述槽內來使其循環；其中，所述的研磨方法的特徵在於：具有一步驟，該步驟一邊將前述槽內的研磨劑中所含的矽酸離子的濃度調整為特定範圍內的濃度，一邊研磨前述矽晶圓。
    [2] 如請求項1所述的矽晶圓的研磨方法，其中，具有一添加步驟，該添加步驟，向前述槽內添加與前述所供給的研磨劑中無法回收至前述槽內的一部分前述研磨劑相同量的新研磨劑；並於前述矽晶圓的研磨中，向前述槽內的研磨劑中添加鹼，利用該鹼與前述矽晶圓的反應而生成前述矽酸離子，藉此而將因為前述研磨劑的一部分未回收至前述槽內而減少的前述矽酸離子的濃度，調整為前述特定範圍內的濃度。
    [3] 如請求項1所述的矽晶圓的研磨方法，其中，將前述特定範圍內的矽酸離子的濃度，調整在1.0~4.6 g/L的範圍內。
    [4] 如請求項2所述的矽晶圓的研磨方法，其中，將前述特定範圍內的矽酸離子的濃度，調整在1.0~4.6 g/L的範圍內。
    [5] 如請求項2所述的矽晶圓的研磨方法，其中，將在前述矽晶圓的研磨中添加至前述槽內的研磨劑中的鹼的量，調整為單位特定時間為固定量。
    [6] 如請求項3所述的矽晶圓的研磨方法，其中，將在前述矽晶圓的研磨中添加至前述槽內的研磨劑中的鹼的量，調整為單位特定時間為固定量。
    [7] 如請求項4所述的矽晶圓的研磨方法，其中，將在前述矽晶圓的研磨中添加至前述槽內的研磨劑中的鹼的量，調整為單位特定時間為固定量。
    [8] 如請求項2至7中任一項所述的矽晶圓的研磨方法，其中，將添加至前述矽晶圓的研磨中的鹼，設為碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、氫氧化鈉、及氫氧化鉀中的至少一種。
    [9] 一種研磨劑，是在使矽晶圓與已黏貼於平台上的研磨布作滑動接觸而進行研磨的時候，供給至前述研磨布上的研磨劑，其特徵在於：包含水、二氧化矽、鹼及矽酸離子，且前述矽酸離子的濃度是調整在1.0~4.6 g/L的範圍內。
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    同族专利:
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011190916||2011-09-01||
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